Samsung опередила TSMC с 3-нм техпроцессом- Samsung объявила о запуске производства по 3-нм техпроцессу, в котором она перешла на Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) — транзисторы с круговым затвором. Техпроцесс с такими нормами и транзисторами южнокорейская компания освоила первой в отрасли.
- Первая версия 3-нм техпроцесса Samsung — 3GAE (3-нм GAA Early) — предназначена для производительных вычислительных устройств. Для мобильных чипов предназначается вторая версия технологии (3GAP) — она будет запущена позднее.
- Техпроцесс 3GAE по сравнению с 5-нм технологией обеспечивает на 23 % более высокую частоту или на 45 % более низкое потребление. Кроме того, на 16 % возрастает плотность транзисторов. Во второй версии техпроцесса преимущество в частоте, энергопотреблении и плотности достигнет 30, 50 и 35 % соответственно.
- Ранее Samsung пообещала запустить массовое производство по 3-нм техпроцессу во втором квартале. Но о серийном выпуске 3-нм устройств в сегодняшнем анонсе речь не идёт — компания не назвала никаких клиентов, для которых она производила бы 3-нм чипы.
- Samsung запустила 3-нм техпроцесс раньше конкурентов. TSMC обещает освоить технологию N3 во второй половине 2022 года, а техпроцесс Intel 3 будет запущен в 2023 году.
|
