- Samsung объявила о планах совершенствования полупроводникового производства и предстоящем внедрении 3- и 2-нм техпроцессов с транзисторами с GAA-структурой (gate-all-around), в которых канал полностью окружён затвором (аналог Intel RibbonFET).
- Транзисторы с GAA-структурой в исполнении Samsung получат название MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET). Техпроцесс с нормами 3 нм и MBCFET-транзисторами по сравнению с 5-нм технологией увеличит плотность кристалла на 35 %, поднимет производительность на 30 % или снизит энергопотребление на 50 %. Выход годных 3-нм кристаллов прогнозируется на уровне актуального 4-нм техпроцесса.
- Начало выпуска 3-нм кристаллов с MBCFET-транзисторами для внешних заказчиков Samsung запланировала на первую половину 2022 года, а в 2023 году будет предложено второе поколение 3-нм техпроцесса. Далее, в 2025 году, Samsung рассчитывает запустить массовое производство 2-нм чипов.
- Попутно Samsung анонсировала новый 17-нм FinFET-техпроцесс с низкой себестоимостью, который по сравнению с 28-нм технологией увеличивает плотность размещения транзисторов на 43 %, поднимает производительность на 39 %, либо снижает энергопотребление на 49 %.
- Также было объявлено об улучшении 14-нм технологии, которая теперь позволит выпускать устройства с питанием 3,3 В. Это даст возможность встраивать в выпускаемые микроконтроллеры магниторезистивную память (eMRAM).
- Samsung объявила о намерении удвоить объёмы производства полупроводниковой продукции к 2026 году.
|
