- Intel представила обновлённую версию дорожной карты, которая предполагает возвращение технологического лидерства через четыре года. Для этого компания планирует вводить по техпроцессу каждый год и в 2025 году первой в отрасли перейти на EUV-литографию нового поколения — с высокой числовой апертурой.
- План Intel включает переименование техпроцессов с переходом на обозначения, не связанные с геометрическими размерами транзисторов, как уже давно используют TSMC и Samsung. Технология 10++ нм станет называться Intel 7; 7 нм — Intel 4, а дальнейшие техпроцессы получат названия Intel 3, Intel 20A и Intel 18A. Смена поколений техпроцессов будет привязана к улучшению показателя производительности на ватт.
- В техпроцессах Intel 20A и Intel 18A компания внедрит новые более производительные транзисторы RibbonFET с GAA-структурой, то есть с каналом, полностью окружённым затвором. Кроме того, в этих техпроцессах будет внедрена технология подвода питания с обратной стороны кристалла PowerVia. Литера A в названии техпроцессов указывает на переход размерности в ангстремы — десятые доли нанометров.
- Техпроцесс Intel 20A будет внедрён в 2024 году, благодаря ему Intel рассчитывает догнать TSMC по характеристикам литографии. В запланированном на 2025 год техпроцессе Intel 18A компания первой в отрасли применит High NA EUV-сканеры нового поколения, над созданием которых она работает с ASML, и обойдёт TSMC по плотности размещения транзисторов на кристалле.
- Первые процессоры, построенные по технологии Intel 7, гибридные Alder Lake для ПК будут представлены 27 октября. До конца года Intel рассчитывает отгрузить несколько миллионов экземпляров Alder Lake.
- Intel также показала первые полупроводниковые кристаллы, выполненные по техпроцессу Intel 4, который находится в стадии пусконаладочных работ. Показанными кристаллами стали составные части процессоров Meteor Lake, выход которых запланирован на начало 2023 года.
- Вместе с техпроцессами Intel будет развивать технологии многоуровневого монтажа полупроводниковых кристаллов — EMIB и Foveros. Последующие поколения 2,5D-мостиков EMIB увеличат плотность контактов. 3D-компоновка Foveros эволюционирует в Foveros Omni и Foveros Direct, которые позволят вертикально соединять кристаллы на нескольких уровнях медных соединений без промежуточного слоя контактных площадок.
- Кроме того, Intel отчиталась об успехах направления контрактного производства — компания договорилась с двумя крупными клиентами. Первым стал Amazon, который будет пользоваться услугами Intel по корпусированию чипов, вторым — Qualcomm, которая разместит на заводах Intel заказ на производство неназванных микросхем по технологии Intel 20A.
|
